G3S12010A
Global Power Technology-GPT
Deutsch
Artikelnummer: | G3S12010A |
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Hersteller / Marke: | SemiQ |
Teil der Beschreibung.: | DIODE SIC 1.2KV 34.8A TO220AC |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $17.20 |
10+ | $15.804 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1200 V |
Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AC |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0 ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | TO-220-2 |
Paket | Cut Tape (CT) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
Strom - Richt (Io) | 34.8A |
Kapazität @ Vr, F | 770pF @ 0V, 1MHz |
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 4A 3-PI
DIODE SIL CARB 1.2KV 37A TO247AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO252
DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO263
DIODE SIL CARB 1.2KV 57A TO220AC
DIODE SIC 1.2KV 23.5A TO220F
DIODE SIL CARB 1.2KV 22A TO220AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 12A TO252
DIODE SIC 1.2KV 16.5A TO220F
DIODE SIL CARB 1.2KV 9A TO220F
DIODE SIL CARB 1.2KV 21A TO220F
DIODE SIL CARB 1.2KV 33.2A TO263
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
DIODE SIL CARB 1.2KV 12A TO220AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247AB
DIODE SIL CARB 1.2KV 7.3A TO220F
DIODE SIL CARB 1.2KV 21A TO220F
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 6A 3-PI
DIODE SIL CARB 1.2KV 33.2A TO252
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() G3S12010AGlobal Power Technology-GPT |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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